在全球半导体市场蓬勃发展的背景下，各大芯片制造商积极布局，以抓住日益增长的需求。近期，SK海力士宣布计划增加其高带宽内存（HBM3E）的供应量，并透露正在适时开发其下一代产品HBM4。这一消息在业界引起了广泛关注，标志着SK海力士在内存市场竞争中的主动出击，反映出公司对未来市场趋势的敏锐洞察。

在全球半导体行业面临持续供需紧张的大背景下，SK海力士近期宣布将显著增加其高带宽内存3E（HBM3E）的供应量，并计划适时开发下一代内存产品HBM4。这一举措不仅标志着该公司在市场竞争中愈加激烈的态势，也是对未来技术趋势的积极响应，预示着HBM市场的进一步扩张与技术升级。

SSK海力士在财报中表示， 公司计划今年增加HBM3E的供应量，并适时开发出HBM4， 根据客户的要求进行供应。并且在需求稳定持续的情况下，将为了具有竞争力的DDR5和LPDDR5生产，推进所需的先进工艺转换。

去年该公司销售额达66.193万亿韩元、营业利润达23.4673 万亿韩元（营业利润率35%）、净利润达19.7969万亿韩元（净利润率30%），创下成立以来的最佳业绩。第四季度销售额较上一季度增长12%，达19.767万亿韩元，营业利润也增长15% ...

报告显示，公司去年全年按合并财务报表口径的营业利润为23.4673万亿韩元（约合人民币1189亿元），同比扭亏为盈。销售额同比猛增102%，为66.193万亿韩元。净利润为19.7969万亿韩元。

IT之家 1 月 16 日消息，韩国媒体《朝鲜日报》今日报道称，DRAM 内存巨头之一的美光也将加入 16-Hi（IT之家注：即 16 层堆叠）HBM3E 内存的竞争，已在进行最终设备评估，计划年内实现量产。▲ 美光现有 12Hi HBM3E三大 ...

【SK海力士计划今年增加HBM3E供应量 ...

在DRAM内存行业激烈竞争的背景下，美光科技公司宣布将正式加入16-Hi HBM3E内存的竞争行列。这一消息标志着美光正在进行最终设备评估，计划于2025年内实现量产。作为全球领先的内存制造商，美光的这一决定不仅展示了公司在先进内存技术领域的雄心，还将进一步推动市场的技术创新和竞争格局。

钛媒体App 1月16日消息，DRAM内存巨头之一的美光也将加入16-Hi（即16层堆叠）HBM3E内存的竞争，已在进行最终设备评估，计划年内实现量产。

IT之家 1 月 16 日消息，韩国媒体《朝鲜日报》今日报道称，DRAM 内存巨头之一的美光也将加入 16-Hi（IT之家注：即 16 层堆叠）HBM3E 内存的竞争 ...

SK海力士1月23日在财报电话会上表示，预计16层HBM4将于明年下半年出货，正与台积电合作。SK海力士当日早些时候发布截至2024年12月31日的2024财年及第四季度财务报告。SK海力士在财报中表示，公司计划今年增加HBM3E供应量，并适时开发出HBM4，根据客户的要求进行供应。

根据韩国业界消息，SK海力士正量产16层HBM3E原型，很快就会出货给主要客户，包括NVIDIA、亚马逊、AMD和博通。