·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报0112期中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底 ...